{{item.ProductName}}
{{item.ProductInfo}}
◆ 工作电压:6V
◆ 工作电流:9mA
◆ 功耗:54mW
◆ 本底噪声: 20 nT Hz-½
◆ 灵敏度: 160 V/AT
◆ 动态范围: 20 nT to 2 T
◆ 频率工作范围: DC to 60 MHz
◆ 高线性度: 0.5 %
◆ 低温系数: -0.06 %/°C
◆ 工作温度:-100°C~+200°C
◆ 焊接温度:260°C
◆ 小体积: 70 × 70 µm2 sensor active area
霍尔器件的特性由其材料和形状决定,主要受以下两个常数影响:
电子迁移率 μ 以及 能带隙 Eg,电子迁移率μ越大,灵敏度越高。能带隙Eg越大,霍尔器件的温度性能越好。下表显示了主要材料的μ和Eg值。
半导体材料的电子行为首先受带隙(band gap)的控制,这种能量状态通常禁止携带电荷的粒子(如电子)。通过带隙工程,原子层精度的分子束外延 (MBE)用于沉积极薄的化合物半导体,厚度为10~20纳米。在成品结构的深处,通过生长特定的材料组合形成势阱,这些材料将携带电荷的电子限制在固定的量子能态,因此被称为“量子阱”。传统半导体霍尔传感器依赖半导体的‘bulk’特性,而AHS霍尔传感器依赖带隙工程(Band Gap Engineering),因此可以实现传统半导体霍尔传感器不能实现的功能。
通过使用小型 PCB 接头使传感器在 xyz 排列中尽可能彼此靠近,这在技术上是可行的。然而会有一些必须校准的位置偏移,因为系统将用于检测“点”值。
我们的量子霍尔传感器的平面霍尔效应也可以忽略不计,因为发生霍尔效应的实际电子通道非常薄(非常薄,它被归类为 2D 电子气)所以这应该比其他的硅霍尔传感器更容易实现。