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{{item.CategoryName}}
{{item.txt}} {{item.txt}}

量子霍尔传感器P2A是一种高性能霍尔传感器,具有低本底噪声、高灵敏度、宽动态工作范围、极端温度可工作等特点,采用 AlGaAs/InGaAs/GaAs技术,包含一个量子阱将偏置电流的电子限制在二维电子气体, 由此电子通过检测到的霍尔效应以更可控的方式使用更少的磁场散射,与通用霍尔传感器相比允许更大的测量灵敏度,并显著降低本底噪声。P2A有两种P2A-SM和P2A-TS两种封装,客户可根据自己需求灵活选择。

常见运用:极端温度测磁、磁力计、磁成像、位置监控、微动开关、速度监控/转速表、电流测量、电隔离



  • 产品名称:P2A-SM
  • 产品型号: P2A sensor-SM
  • 产品描述:量子霍尔传感器P2A-SM采用量子阱技术,SM封装、灵敏度160 V/AT、工作温度-100°C~+200°C
  • BEYD零件编号: P2A sensor-SM
  • 制造商:AHS
  • 制造商产品编号:P2A sensor-SM
  • 现货库存: 97
  • 无库存标准周期: 8
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产品参数

工作电压:6V

◆ 工作电流:9mA

◆ 功耗:54mW

◆ 本底噪声: 20 nT Hz-½

◆ 灵敏度: 160 V/AT

◆ 动态范围: 20 nT to 2 T

◆ 频率工作范围: DC to 60 MHz

◆ 高线性度: 0.5 %

◆ 低温系数: -0.06 %/°C

◆ 工作温度:-100°C~+200°C

焊接温度:260°C

◆ 小体积: 70 × 70 µm2 sensor active area

产品Datasheet
      名称
      描述
      版本
      更新时间
      下载
  • AHS公司简介.pdf
  • AHS公司介绍
  • Version 1.0
  • 2021-09-09
  • 下载
  • P2A-SM datasheet.pdf
  • P2A-SM datasheet
  • Version 1.0
  • 2021-10-13
  • 下载
  • AHS公司量子阱霍尔效应传感器原理及运用(英文).pdf
  • AHS公司量子阱霍尔效应传感器原理及运用(英文)
  • 2021-09-18
  • 下载
产品新闻
暂无数据
常见FAQ
AHS量子霍尔传感器的采用的材料特性如何?

霍尔器件的特性由其材料和形状决定,主要受以下两个常数影响:
电子迁移率 μ 以及 能带隙 Eg,电子迁移率μ越大,灵敏度越高。能带隙Eg越大,霍尔器件的温度性能越好。下表显示了主要材料的μ和Eg值。


上述材料制成的霍尔器件特性分别如下:

Si (硅)
虽然温度特性良好,但灵敏度低,不平衡电压 VHO(未施加磁场产生的电压)大。目前,硅霍尔器件主要用作集成在带有放大器或其他器件的硅霍尔IC。

GaAs(砷化镓)
这种材料的大带隙带来很小的温度漂移,但是电子迁移率稍小影响了灵敏度。

InSb (锑化铟)
由于电子迁移率高,这种材料具有很高的灵敏度,但是小带隙会导致相当大的温度漂移。

InAs(砷化铟)
相比InSb,这种材料的灵敏度稍低,但是温度漂移更小。由于这种材料对于磁场变化具有很好的线性,因此可用于测量磁场的霍尔探头。

2-DEG:
AHS公司采用MBE开发和生产的二维电子气(2-DEG)霍尔传感器工作温度范围宽,温漂小,灵敏度高,可以满足诸多应用场景需求。

什么是量子阱?有什么独特性?

半导体材料的电子行为首先受带隙(band gap)的控制,这种能量状态通常禁止携带电荷的粒子(如电子)。通过带隙工程,原子层精度的分子束外延 (MBE)用于沉积极薄的化合物半导体,厚度为10~20纳米。在成品结构的深处,通过生长特定的材料组合形成势阱,这些材料将携带电荷的电子限制在固定的量子能态,因此被称为“量子阱”。传统半导体霍尔传感器依赖半导体的‘bulk’特性,而AHS霍尔传感器依赖带隙工程(Band Gap Engineering),因此可以实现传统半导体霍尔传感器不能实现的功能。



是否可以实现3D霍尔传感器功能?

通过使用小型 PCB 接头使传感器在 xyz 排列中尽可能彼此靠近,这在技术上是可行的。然而会有一些必须校准的位置偏移,因为系统将用于检测“点”值。

我们的量子霍尔传感器的平面霍尔效应也可以忽略不计,因为发生霍尔效应的实际电子通道非常薄(非常薄,它被归类为 2D 电子气)所以这应该比其他的硅霍尔传感器更容易实现。

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